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JANTX1N5623US

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Numero di parte JANTX1N5623US
fabbricante Microsemi
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 7121 pcs
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Numero di parte JANTX1N5623US fabbricante Microsemi
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 7121 pcs Scheda dati 1N5615US thru 1N5623US
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.6V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1000V Contenitore dispositivo fornitore D-5A
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/429
Tempo di ripristino inverso (trr) 500ns imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SQ-MELF, A Altri nomi 1086-19427
1086-19427-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Tipo diodo Standard
Descrizione dettagliata Diode Standard 1000V 1A Surface Mount D-5A Corrente - Dispersione inversa a Vr 500nA @ 1000V
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A Capacità a Vr, F 15pF @ 12V, 1MHz

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  • Produttori:Microsemi
  • Descrizione:DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Disponibile:10430
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  • Parte#:JANTX1N5619
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