JAN1N6631US
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| Numero di parte | JAN1N6631US |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.767 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | JAN1N6631US | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4034 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.6V @ 1.4A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 1100V | Contenitore dispositivo fornitore | D-5B |
| Velocità | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 60ns | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | E-MELF | Altri nomi | 1086-20001 1086-20001-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 150°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 1100V 1.4A Surface Mount D-5B |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 4µA @ 1100V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 1.4A |
| Capacità a Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
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