JAN1N6622
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| Numero di parte | JAN1N6622 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | JAN1N6622 | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5736 pcs | Scheda dati | 1N6620-25 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.6V @ 2A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 660V | Velocità | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/585 | Tempo di ripristino inverso (trr) | 30ns |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | A, Axial |
| Altri nomi | 1086-2301 1086-2301-MIL |
Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 660V 2A Through Hole | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 500nA @ 660V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 2A | Capacità a Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
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