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JAN1N6076

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Numero di parte JAN1N6076
fabbricante Microsemi
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
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Numero di parte JAN1N6076 fabbricante Microsemi
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 4861 pcs Scheda dati 1N6073-81
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.76V @ 18.8A
Tensione - inversa (Vr) (max) 50V Contenitore dispositivo fornitore E-PAK
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/503
Tempo di ripristino inverso (trr) 30ns imballaggio Bulk
Contenitore / involucro E, Axial Altri nomi 1086-19450
1086-19450-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 155°C Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo Standard Descrizione dettagliata Diode Standard 50V 1.3A Through Hole E-PAK
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5µA @ 50V Corrente - raddrizzata media (Io) 1.3A
Capacità a Vr, F -

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