JAN1N3768
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| Numero di parte | JAN1N3768 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi Corporation |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | JAN1N3768 | fabbricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4976 pcs | Scheda dati | 1N1184,86,88,90;1N3766,68(R) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Picco inversa (max) | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 35A | Tensione - Ripartizione | DO-5 |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/297 | Stato RoHS | Bulk |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Resistenza a If, F | - |
| Polarizzazione | DO-203AB, DO-5, Stud | Altri nomi | 1086-16818 1086-16818-MIL |
| Tipo montaggio | Chassis, Stud Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | JAN1N3768 | Descrizione espansione | Diode Standard 1000V (1kV) 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| Configurazione diodo | 10µA @ 1000V | Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1.4V @ 110A | Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) | 1000V (1kV) |
| Capacità a Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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