APTM20HM20STG
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| Numero di parte | APTM20HM20STG |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $33.539 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM20HM20STG | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 917 pcs | Scheda dati | Power Products CatalogAPTM20HM20STG |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP4 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 24 mOhm @ 44.5A, 10V | Potenza - Max | 357W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP4 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6850pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V | Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 89A 357W Chassis Mount SP4 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 89A |
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