APTM20DHM08G
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| Numero di parte | APTM20DHM08G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM20DHM08G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5369 pcs | Scheda dati | Power Products CatalogAPTM20DHM08G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 10 mOhm @ 104A, 10V | Potenza - Max | 781W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP6 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 208A 781W Chassis Mount SP6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 208A |
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