APTM120A80FT1G
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| Numero di parte | APTM120A80FT1G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM120A80FT1G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4904 pcs | Scheda dati | Power Products CatalogAPTM120A80FT1G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP1 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 960 mOhm @ 12A, 10V | Potenza - Max | 357W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP1 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6696pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 14A |
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