APTM100H46FT3G
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| Numero di parte | APTM100H46FT3G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $17.996 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM100H46FT3G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1794 pcs | Scheda dati | APTM100H46FT3G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP3 | Serie | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 552 mOhm @ 16A, 10V | Potenza - Max | 357W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP3 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V | Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 19A |
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