APTC90AM60T1G
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| Numero di parte | APTC90AM60T1G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $24.702 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTC90AM60T1G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1586 pcs | Scheda dati | APTC90AM60T1G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 6mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP1 | Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 60 mOhm @ 52A, 10V | Potenza - Max | 462W |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | SP1 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Caratteristica FET | Super Junction |
| Tensione drain-source (Vdss) | 900V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 59A |
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