APT80SM120B
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| Numero di parte | APT80SM120B |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | POWER MOSFET - SIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APT80SM120B | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | POWER MOSFET - SIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5967 pcs | Scheda dati | APT80SM120(B,S) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V | Dissipazione di potenza (max) | 555W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 1200V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
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