APT45GP120B2DQ2G
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| Numero di parte | APT45GP120B2DQ2G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | IGBT 1200V 113A 625W TMAX |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 270 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $7.833 | $7.244 | $6.657 | $6.187 | $5.678 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APT45GP120B2DQ2G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 6143 pcs | Scheda dati | APT45GP120B2DQ2(G) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic | 3.9V @ 15V, 45A | Condizione di test | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C | 18ns/100ns | di scambio energetico | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| Serie | POWER MOS 7® | Potenza - Max | 625W |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 Variant |
| Altri nomi | APT45GP120B2DQ2GMI APT45GP120B2DQ2GMI-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso | Standard | Tipo IGBT | PT |
| carica gate | 185nC | Descrizione dettagliata | IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 170A | Corrente - collettore (Ic) (max) | 113A |
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