APT18M80S
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| Numero di parte | APT18M80S |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APT18M80S | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4159 pcs | Scheda dati | APT18M80B/S |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D3Pak | Serie | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 530 mOhm @ 9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3760pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D3Pak | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
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