APT10SCD65KCT
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| Numero di parte | APT10SCD65KCT |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE SILICON 650V 17A TO220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APT10SCD65KCT | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5192 pcs | Scheda dati | APT10SCD65KCT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.8V @ 10A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 650V | Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 0ns | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | Temperatura di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Configurazione diodo | 1 Pair Common Cathode | Descrizione dettagliata | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 200µA @ 650V | Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) | 17A |
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