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APT10035B2LLG

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Numero di parte APT10035B2LLG
fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4751 pcs
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Numero di parte APT10035B2LLG fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4751 pcs Scheda dati Power Products CatalogAPT10035(B2,L)LL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore T-MAX™ [B2] Serie POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs 350 mOhm @ 14A, 10V Dissipazione di potenza (max) 690W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5185pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 1000V
Descrizione dettagliata N-Channel 1000V 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)

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