2N5116
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| Numero di parte | 2N5116 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | P CHANNEL JFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2N5116 | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | P CHANNEL JFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4008 pcs | Scheda dati | 2N5114-16, Mx2N5114-16 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id | 4V @ 1nA |
| Tensione - Breakdown (V (BR) GSS) | 30V | Contenitore dispositivo fornitore | TO-18 |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500 | Resistenza - RDS (on) | 175 Ohms |
| Potenza - Max | 500mW | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | Altri nomi | 2N5116MS |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V | Tipo FET | P-Channel |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 |
| Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
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