1N6629US
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| Numero di parte | 1N6629US |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.181 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1N6629US | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 6210 pcs | Scheda dati | 1N6626US-1N6631US |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.4V @ 1.4A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 880V | Contenitore dispositivo fornitore | A-MELF |
| Velocità | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 50ns | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SQ-MELF, A | Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount A-MELF | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 2µA @ 880V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 1.4A | Capacità a Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
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