1N649-1
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| Numero di parte | 1N649-1 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.624 | $1.449 | $1.188 | $0.962 | $0.811 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1N649-1 | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 38051 pcs | Scheda dati | 1N649-1 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1V @ 400mA |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 600V | Contenitore dispositivo fornitore | DO-35 |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 50nA @ 600V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 400mA |
| Capacità a Vr, F | - |
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- Parte#:
1N649UR-1 - Produttori:
Microsemi Corporation - Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 - Disponibile:
18199