1N5809US
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| Numero di parte | 1N5809US |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.968 | $3.571 | $2.936 | $2.46 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1N5809US | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 12242 pcs | Scheda dati | 1N5807,09,11 US/URS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 875mV @ 4A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 100V | Contenitore dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
| Velocità | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 30ns | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SQ-MELF, B | Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 7 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 5µA @ 100V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 3A |
| Capacità a Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
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