1N5552US

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| Numero di parte | 1N5552US |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.556 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1N5552US | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 7362 pcs | Scheda dati | 1N5550US thru 1N5554US |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.2V @ 9A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 600V | Contenitore dispositivo fornitore | D-5B |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 2µs | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SQ-MELF, B | Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 7 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1µA @ 600V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 3A |
| Capacità a Vr, F | - |
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