1N5415
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| Numero di parte | 1N5415 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi Corporation |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 132 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.503 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1N5415 | fabbricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 12348 pcs | Scheda dati | 1N5415 - 20 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Picco inversa (max) | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 3A | Serie | - |
| Stato RoHS | Bulk | Tempo di ripristino inverso (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistenza a If, F | - | Polarizzazione | B, Axial |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | 150ns | Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 7 Weeks |
| codice articolo del costruttore | 1N5415 | Descrizione espansione | Diode Standard 50V 3A Through Hole |
| Configurazione diodo | 1µA @ 50V | Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1.5V @ 9A | Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) | 50V |
| Capacità a Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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