MTA4ATF51264AZ-2G6E1
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| Numero di parte | MTA4ATF51264AZ-2G6E1 |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $27.061 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MTA4ATF51264AZ-2G6E1 | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1451 pcs | Scheda dati | MTA4ATF51264AZ |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.2V | Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
| Serie | - | temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) Parallel 1333MHz | Frequenza dell'orologio | 1333MHz |
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