MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
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| Numero di parte | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1190 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $45.195 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 815 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.1V | Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Serie | - | Altri nomi | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E-ND MT53D512M64D4NY-046XTES:E |
| temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) | Interfaccia di memoria | - |
| Formato di memoria | DRAM | Stato senza piombo | Lead free |
| Descrizione dettagliata | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz | Frequenza dell'orologio | 2133MHz |
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