MT47H512M4THN-37E:E TR
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| Numero di parte | MT47H512M4THN-37E:E TR |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $22.845 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT47H512M4THN-37E:E TR | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1303 pcs | Scheda dati | MT47H512M4,256M8 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V | Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore | 63-FBGA (9x11.5) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 63-FBGA |
| Altri nomi | MT47H512M4THN-37E:E TR-ND MT47H512M4THN-37E:ETR |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 2Gb (512M x 4) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 267MHz 500ps 63-FBGA (9x11.5) |
| Frequenza dell'orologio | 267MHz | Numero di parte base | MT47H512M4 |
| Tempo di accesso | 500ps |
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