MT47H256M8EB-3:C TR
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| Numero di parte | MT47H256M8EB-3:C TR |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT47H256M8EB-3:C TR | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5570 pcs | Scheda dati | MT47H512M4, 256M8, 128M16 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V | Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore | 60-FBGA (9x11.5) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 60-TFBGA |
| Altri nomi | MT47H256M8EB-3:C TR-ND MT47H256M8EB-3:CTR |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (9x11.5) |
| Frequenza dell'orologio | 333MHz | Tempo di accesso | 450ps |
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MXSMLJ17AE3 - Produttori:
Microsemi - Descrizione:
TVS DIODE 17V 27.6V DO214AB - Disponibile:
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