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MT47H128M4SH-25E:H TR

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Numero di parte MT47H128M4SH-25E:H TR
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 15555 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte MT47H128M4SH-25E:H TR fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 15555 pcs Scheda dati MT47H128M4, 64M8, 32M16
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SDRAM - DDR2
Contenitore dispositivo fornitore 60-FBGA (8x10) Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 60-TFBGA
Altri nomi MT47H128M4SH-25E:HTR temperatura di esercizio 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 512Mb (128M x 4)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
Frequenza dell'orologio 400MHz Tempo di accesso 400ps

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