MT47H128M4B6-25E:D TR
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| Numero di parte | MT47H128M4B6-25E:D TR |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.582 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT47H128M4B6-25E:D TR | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 6672 pcs | Scheda dati | MT47H128M4,64M8,32M16 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V | Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore | 60-FBGA | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 60-FBGA |
| Altri nomi | MT47H128M4B6-25E:D TR-ND MT47H128M4B6-25E:DTR |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 512Mb (128M x 4) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA |
| Frequenza dell'orologio | 400MHz | Numero di parte base | MT47H128M4 |
| Tempo di accesso | 400ps |
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