MT47H128M16RT-25E AAT:C
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| Numero di parte | MT47H128M16RT-25E AAT:C |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1260 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.083 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT47H128M16RT-25E AAT:C | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3806 pcs | Scheda dati | MT47H256M8, MT47H128M16, MT47H512M4 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V | Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore | 84-FBGA (9x12.5) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 84-TFBGA |
| Altri nomi | MT47H128M16RT-25E AAT:C-ND MT47H128M16RT-25EAAT:C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5) |
| Frequenza dell'orologio | 400MHz | Numero di parte base | MT47H128M16 |
| Tempo di accesso | 400ps |
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- Parte#:
RWR80S5R11FSS70 - Produttori:
Dale / Vishay - Descrizione:
RES 5.11 OHM 2W 1% WW AXIAL - Disponibile:
23777