MT46V64M8CY-5B:J TR
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| Numero di parte | MT46V64M8CY-5B:J TR |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.137 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT46V64M8CY-5B:J TR | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 9813 pcs | Scheda dati | MT46V128M4,_64M8,_32M16 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.5 V ~ 2.7 V | Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Contenitore dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x12.5) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 60-TFBGA |
| Altri nomi | MT46V64M8CY-5B:J TR-ND MT46V64M8CY-5B:JTR |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5) |
| Frequenza dell'orologio | 200MHz | Numero di parte base | MT46V64M8 |
| Tempo di accesso | 700ps |
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