MT46H128M16LFB7-5 WT:B
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| Numero di parte | MT46H128M16LFB7-5 WT:B |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.055 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT46H128M16LFB7-5 WT:B | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 10239 pcs | Scheda dati | MT46HzzzM16(32)xx_Auto |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Contenitore dispositivo fornitore | 60-VFBGA (10x10) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 60-VFBGA |
| Altri nomi | MT46H128M16LFB7-5 WT:B-ND MT46H128M16LFB7-5WT:B |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 200MHz 5.0ns 60-VFBGA (10x10) |
| Frequenza dell'orologio | 200MHz | Numero di parte base | MT46H128M16 |
| Tempo di accesso | 5.0ns |
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