MT42L256M64D4EV-18 WT:A
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| Numero di parte | MT42L256M64D4EV-18 WT:A |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 16G PARALLEL 253FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $11.707 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT42L256M64D4EV-18 WT:A | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 16G PARALLEL 253FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 2987 pcs | Scheda dati | 4Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.14 V ~ 1.3 V | Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore | 253-FBGA (11x11) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 253-TFBGA |
| Altri nomi | MT42L256M64D4EV-18 WT:A-ND MT42L256M64D4EV-18WT:A |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 16Gb (256M x 64) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 16Gb (256M x 64) Parallel 533MHz 253-FBGA (11x11) |
| Frequenza dell'orologio | 533MHz | Numero di parte base | MT42L256M64 |
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