MT41K512M8V00HWC1-N001

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| Numero di parte | MT41K512M8V00HWC1-N001 |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.136 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | MT41K512M8V00HWC1-N001 | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 7970 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.283 V ~ 1.45 V | Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Serie | - | temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo | Lead free | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel |
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