MT41K512M8RH-125 AIT:E
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| Numero di parte | MT41K512M8RH-125 AIT:E |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.457 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT41K512M8RH-125 AIT:E | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5363 pcs | Scheda dati | MT41K1G4,MT41K512M8,MT41K256M16 1.35V DDR3L SDRAM |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.283 V ~ 1.45 V | Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Contenitore dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 78-TFBGA |
| Altri nomi | MT41K512M8RH-125 AIT:E-ND MT41K512M8RH-125AIT:E |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x10.5) |
| Frequenza dell'orologio | 800MHz | Numero di parte base | MT41K512M8 |
| Tempo di accesso | 13.75ns |
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