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MT41J256M4JP-15E:G

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Numero di parte MT41J256M4JP-15E:G
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 11946 pcs
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Numero di parte MT41J256M4JP-15E:G fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 11946 pcs Scheda dati 1Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.425 V ~ 1.575 V Tecnologia SDRAM - DDR3
Contenitore dispositivo fornitore 78-FBGA (8x11.5) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 78-TFBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 1Gb (256M x 4) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 667MHz 78-FBGA (8x11.5) Frequenza dell'orologio 667MHz
Numero di parte base MT41J256M4

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