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MT40A512M8RH-083E AUT:B

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Numero di parte MT40A512M8RH-083E AUT:B
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5168 pcs
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Numero di parte MT40A512M8RH-083E AUT:B fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5168 pcs Scheda dati
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.14 V ~ 1.26 V Tecnologia SDRAM - DDR4
Serie - Altri nomi MT40A512M8RH-083E AUT:B-ND
MT40A512M8RH-083EAUT:B
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TC) Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz
Frequenza dell'orologio 1.2GHz

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