MT40A1G8WE-083E AUT:B
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| Numero di parte | MT40A1G8WE-083E AUT:B |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1900 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $10.594 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT40A1G8WE-083E AUT:B | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 3010 pcs | Scheda dati | MT40A2G4, A1G8, A512M16 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.14 V ~ 1.26 V | Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
| Serie | - | Altri nomi | MT40A1G8WE-083E AUT:B-ND MT40A1G8WE-083EAUT:B |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TC) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.2GHz |
| Frequenza dell'orologio | 1.2GHz |
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