MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR

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| Numero di parte | MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.436 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 8902 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | FLASH - NAND |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Altri nomi | MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR-ND MT29F4G08ABAFAH4-AATES:FTR |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | FLASH | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel |
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