MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
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| Numero di parte | MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL 130VFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.772 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL 130VFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 40040 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | FLASH - NAND |
| Contenitore dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 130-VFBGA |
| Altri nomi | MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR-ND MT29F1G16ABBEAMD-IT:ETR |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile | Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | FLASH - NAND Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 130-VFBGA (8x9) |
| Numero di parte base | MT29F1G16 |
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