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MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

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Numero di parte MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 556 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		980 pcs
$67.685

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Numero di parte MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B fabbricante Micron Technology
Descrizione IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 556 pcs Scheda dati
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 2.5 V ~ 3.6 V Tecnologia FLASH - NAND
Serie - temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 3Tb (384G x 8) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria FLASH Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 333MHz Frequenza dell'orologio 333MHz

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