MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR

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| Numero di parte | MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.032 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 7399 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore | 137-TFBGA (10.5x13) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 137-TFBGA |
| Altri nomi | MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR-ND MT29C4G96MAZBACKD-5WTTR |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile | Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | FLASH, RAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 137-TFBGA (10.5x13) |
| Frequenza dell'orologio | 200MHz | Numero di parte base | MT29C4G96M |
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