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MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR

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Numero di parte MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5622 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1000 pcs
$5.363

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Numero di parte MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR fabbricante Micron Technology
Descrizione IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5622 pcs Scheda dati
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V Tecnologia FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Contenitore dispositivo fornitore 137-VFBGA (13x10.5) Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 137-VFBGA
Altri nomi MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR-ND
MT29C4G96MAAHBACKD-5WTTR		 temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile Dimensione della memoria 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria FLASH, RAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 137-VFBGA (13x10.5)
Frequenza dell'orologio 200MHz Numero di parte base MT29C4G96M

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