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MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT

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Numero di parte MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 20972 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1000 pcs
$1.843

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Numero di parte MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT fabbricante Micron Technology
Descrizione IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 20972 pcs Scheda dati
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V Tecnologia FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Contenitore dispositivo fornitore 130-VFBGA (8x9) Serie -
imballaggio Bulk Contenitore / involucro 130-VFBGA
Altri nomi MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT-ND
MT29C1G12MAADVAMD-5EIT		 temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria FLASH, RAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) Parallel 200MHz 130-VFBGA (8x9)
Frequenza dell'orologio 200MHz Numero di parte base MT29C1G12M

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