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EDB8164B4PK-1D-F-D

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Numero di parte EDB8164B4PK-1D-F-D
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 7874 pcs
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Numero di parte EDB8164B4PK-1D-F-D fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 7874 pcs Scheda dati EDB8164B4P(R,K,T),EDBA164B2PR
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.14 V ~ 1.95 V Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2
Contenitore dispositivo fornitore 220-FBGA (14x14) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 220-WFBGA
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 533MHz 220-FBGA (14x14) Frequenza dell'orologio 533MHz

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