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EDB4064B4PB-1D-F-R TR

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Numero di parte EDB4064B4PB-1D-F-R TR
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 7843 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte EDB4064B4PB-1D-F-R TR fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 7843 pcs Scheda dati EDB1316BD, 1332BD, 2432B4, 4064B4
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.14 V ~ 1.95 V Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2
Contenitore dispositivo fornitore 216-WFBGA (12x12) Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 216-WFBGA
Altri nomi EDB4064B4PB-1D-F-R TR-ND
EDB4064B4PB-1D-F-RTR		 temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 4Gb (64M x 64)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz 216-WFBGA (12x12)
Frequenza dell'orologio 533MHz

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