EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
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| Numero di parte | EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.685 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 11586 pcs | Scheda dati | EDB1316BD, 1332BD, 2432B4 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.14 V ~ 1.95 V | Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 134-VFBGA |
| Altri nomi | EDB1332BDBH-1DAAT-F-R EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-R-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-RTR |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 1Gb (32M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5) |
| Frequenza dell'orologio | 533MHz |
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