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DS1230Y-200IND+

DS1230Y-200IND+
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Numero di parte DS1230Y-200IND+
fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4127 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs25 pcs
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Numero di parte DS1230Y-200IND+ fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4127 pcs Scheda dati DS1230Y, AB
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 200ns
Tensione di alimentazione - 4.5 V ~ 5.5 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 28-EDIP Serie -
imballaggio Tube Contenitore / involucro 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria NVSRAM Produttore tempi di consegna standard 15 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
Numero di parte base DS1230Y Tempo di accesso 200ns

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