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DS1225AD-200IND+

DS1225AD-200IND+
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Numero di parte DS1225AD-200IND+
fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5546 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte DS1225AD-200IND+ fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5546 pcs Scheda dati DS1225AB, AD
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 200ns
Tensione di alimentazione - 4.5 V ~ 5.5 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 28-EDIP Serie -
imballaggio Tube Contenitore / involucro 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Altri nomi DS1225AD200IND temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tipo di memoria Non-Volatile Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria NVSRAM
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP Numero di parte base DS1225A
Tempo di accesso 200ns

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