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DS1220AB-200IND

DS1220AB-200IND
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Numero di parte DS1220AB-200IND
fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5132 pcs
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Numero di parte DS1220AB-200IND fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5132 pcs Scheda dati DS1220AB, AD
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 200ns
Tensione di alimentazione - 4.75 V ~ 5.25 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 24-EDIP Serie -
imballaggio Tube Contenitore / involucro 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria NVSRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 200ns 24-EDIP Numero di parte base DS1220A
Tempo di accesso 200ns

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