CSD86330Q3D
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| Numero di parte | CSD86330Q3D |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.354 | $0.341 | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD86330Q3D | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 63916 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-LSON (3.3x3.3) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 14A, 8V | Potenza - Max | 6W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerLDFN |
| Altri nomi | 296-28216-2 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 12.5V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A | Numero di parte base | CSD86330 |
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