CSD19536KTT
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| Numero di parte | CSD19536KTT |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 500 pcs | 1000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.188 | $1.002 | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD19536KTT | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 33423 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DDPAK/TO-263-3 | Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Altri nomi | 296-47254-2 CSD19536KTT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 50V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta) |
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